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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 37
    周辺 -28% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2395 left arrow 3076

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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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