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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3076
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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