RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2829
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link