Kingston K531R8-MIN 4GB против Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K531R8-MIN 4GB

Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 32

Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 5.2

Среднее значение в тестах

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Причины выбрать
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

14900 12800

Около 1.16 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston K531R8-MIN 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

28 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 8.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 14900

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2445 1409

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

модули RAM

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB

Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM