RAM-Vergleich Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Gesamtnote

Kingston K531R8-MIN 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 32

Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.4 8.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.0 5.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

14900 12800

Rund um 1.16 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston K531R8-MIN 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2445 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns