Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

総合得点

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

総合得点

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston K531R8-MIN 4GB

考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 32

周辺 13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

13.4 8.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.0 5.2

テスト平均値

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

考慮すべき理由
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

14900 12800

周辺 1.16 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston K531R8-MIN 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 32
読み出し速度、GB/s

13.4 8.2
書き込み速度、GB/秒

9.0 5.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 14900

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2445 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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