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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14900
    周辺 1.72% 高帯域
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 38
    周辺 -19% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 5.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 1409

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