Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

总分
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

总分
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 14900
    左右 1.72% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    32 left arrow 38
    左右 -19% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 32
  • 读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 8.2
  • 写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 5.2
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 14900
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2283 left arrow 1409
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