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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR3
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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