Comparación de la memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Puntuación global

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.5 8.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.0 5.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 14900

En 1.72% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 38

En -19% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2283 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns