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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
48
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3371
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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