Confronto tra le RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 8.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.0 5.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 14900

Intorno 1.72% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 38

Intorno -19% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2283 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns