Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Intorno 13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.4 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 5.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    14900 left arrow 12800
    Intorno 1.16 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 8.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 5.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2445 left arrow 1409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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