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Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
5.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
14900
12800
Intorno 1.16 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
13.4
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
5.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
14900
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
1409
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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