RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
1409
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386B4G70BM0-YH92 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link