RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
12800
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2445
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link