RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston K531R8-MIN 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Kingston K531R8-MIN 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2% 高帯域
考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
38
周辺 -36% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
28
読み出し速度、GB/s
15.5
13.4
書き込み速度、GB/秒
12.0
9.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
12800
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
2445
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB RAMの比較
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link