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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

総合得点
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Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair VS1GB800D2 1GB 考慮すべき理由
Corsair VS1GB800D2 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 58
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,950.7 left arrow 1,361.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    4,680.7 left arrow 4,241.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,361.1 left arrow 1,950.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    460 left arrow 651

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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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