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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
58
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,950.7
1,361.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
47
58
读取速度,GB/s
4,680.7
4,241.0
写入速度,GB/s
1,361.1
1,950.7
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
651
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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