Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    47 left arrow 58
    Intorno 19% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,950.7 left arrow 1,361.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    47 left arrow 58
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,680.7 left arrow 4,241.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,361.1 left arrow 1,950.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    460 left arrow 651
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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