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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Confronto
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair VS1GB800D2 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair VS1GB800D2 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
58
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,950.7
1,361.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
47
58
Velocità di lettura, GB/s
4,680.7
4,241.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,361.1
1,950.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
460
651
Corsair VS1GB800D2 1GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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