Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB против Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    47 left arrow 58
    Около 19% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,950.7 left arrow 1,361.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    47 left arrow 58
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,680.7 left arrow 4,241.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,361.1 left arrow 1,950.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    460 left arrow 651
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения