RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
72
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
72
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
1728
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link