RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link