RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link