RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
54
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
42
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
13.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2427
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link