Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 54
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.5 left arrow 9.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    14900 left arrow 12800
    Около 1.16 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    54 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.2 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 14900
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2105 left arrow 2311
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения