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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
54
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
14900
12800
Por volta de 1.16 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
54
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
14900
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2311
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB Comparações de RAM
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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