Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 54
    Wokół strony -100% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 9.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    14900 left arrow 12800
    Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    54 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.2 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2105 left arrow 2311
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania