RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2311
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link