RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3042
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link