RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
58
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2393
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link