RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2481
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link