RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2800
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link