RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2800
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link