Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 54
    Rund um -100% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 12800
    Rund um 1.16 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    54 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 12.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2105 left arrow 2311
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche