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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
14900
12800
Rund um 1.16 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
54
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
14900
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2311
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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