RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1549
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link