RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2346
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link