RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2346
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link