RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
46
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
2936
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link