RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2936
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link