RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3505
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link