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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
47
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
30
Velocità di lettura, GB/s
9.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3505
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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