RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2936
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link