RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2711
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link