RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2199
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link