RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
77
Intorno -148% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
31
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2199
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link