Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 37

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 16.1
Скорость записи, Гб/сек

8.4 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3047

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB

модули RAM

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM