Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 64
    Около -88% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.6 left arrow 5.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.6 left arrow 4.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    64 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5.7 left arrow 9.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    4.3 left arrow 7.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1317 left arrow 2050
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения