Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Сообщить об ошибке

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 64

Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.6 5.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.6 4.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

64 34
Скорость чтения, Гб/сек

5.7 9.6
Скорость записи, Гб/сек

4.3 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1317 2050

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

модули RAM