Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Note globale
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    34 left arrow 64
    Autour de -88% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    9.6 left arrow 5.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.6 left arrow 4.3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    64 left arrow 34
  • Vitesse de lecture, GB/s
    5.7 left arrow 9.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    4.3 left arrow 7.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1317 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons