Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 64
    Por volta de -88% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 5.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.6 left arrow 4.3
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    64 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    5.7 left arrow 9.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    4.3 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1317 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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