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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
64
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
5.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
4.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
64
34
Velocidade de leitura, GB/s
5.7
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
4.3
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1317
2050
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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