Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    34 left arrow 64
    Wokół strony -88% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.6 left arrow 5.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.6 left arrow 4.3
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    64 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    5.7 left arrow 9.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    4.3 left arrow 7.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1317 left arrow 2050
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania