RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3680
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link