Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 64
    周辺 -88% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 5.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 4.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    64 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    5.7 left arrow 9.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.3 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1317 left arrow 2050
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