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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
総合得点
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
64
周辺 -88% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.6
5.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
4.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
34
読み出し速度、GB/s
5.7
9.6
書き込み速度、GB/秒
4.3
7.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1317
2050
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