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Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
64
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
4.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
64
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.7
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.3
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1317
2050
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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